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NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PPM
rated peak pulse power
t p = 10/1000 μ s
[1][2]
MMBZ5V6AL
-
24
W
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
-
40
W
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
I PPM
rated peak pulse current
t p = 10/1000 μ s
[1][2]
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
2.76
2.5
1.7
1.7
2.35
1.9
1.6
1.4
1
0.87
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
Per device
P tot
total power dissipation
T amb ≤ 25 ° C
MMBZxAL series
MMBZ5V6AL
[3]
[4]
-
-
265
290
mW
mW
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
[4]
-
360
mW
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
MMBZXAL_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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